2000S 产品将传感技术与智能电子结合在单一封装中，而非易失性 F-RAM 存储器具备快速写入、高耐用性及低功耗特点，是这种先进设计必不可少的元件。在 2000S 中，F-RAM 存储各种配置参数，如变送器范围、信号类型、流体特性等，并在断电时保存这些数据，使到变送器在电源恢复后可即时投入使用。F-RAM 还可存储 2000S 自动化自我校正例行程序的校正/补偿数据，并执行事件与数据记录，系统可以使用这些数据来诊断是否需要维护。

　　上海威尔泰研发工程师解释道：“我们在安全的智能 2000S 压力变送器中使用 F-RAM 代替 EEPROM，能加快写入速度、提高耐用性，并提升总体安全性以防止潜在的爆炸。我们首款2000S 设计采用了 EEPROM，但却不能通过功耗测试，因为 2000S 的总体工作电流小于 3.6mA。F-RAM 的功耗低特性能实现固有安全性，其快速写入速度更减少了可变性，以及降低新型智能压力变送器中微处理器 (MPU) 的成本开销。”